記事ソース EETimesJapan
2016/07/27 
 
より
東芝は2016年7月26日、64層の3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(3D NAND)「BiCS FLASH」のサンプル出荷を開始すると発表した。256Gビット 3ビットセルチップで、今後はチップ単体で0.5Tビットの製品まで提供予定。量産出荷は、2016年第4四半期に開始する見込みという。
[庄司智昭,EE Times Japan]


0.5Tビットまで提供予定




東芝は2016年7月26日、64層の3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(3D NAND)「BiCS FLASH」のサンプル出荷を「世界で初めて」開始すると発表した。東芝は、「データセンター向けエンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどの市場のニーズに合わせて展開していく」と語る。

 同製品は256Gビット 3ビットセルである。回路技術やプロセスを最適化することで、チップサイズを小型化し、48層のBiCS FLASHと比較して、単位面積当たりのメモリ容量を約1.4倍に大容量化。チップサイズの小型化により、1枚のシリコンウエハーから生産されるメモリ容量を増やし、ビットあたりのコスト削減も実現したという。

 NAND型フラッシュメモリの製造に関するパートナーであるウエスタンデジタルコーポレーション(以下、ウエスタンデジタル)のリリースによると、まずは256Gビットの容量で展開し、今後チップ単体で0.5Tビットの製品まで提供予定とする。


ウエスタンデジタルでは、2016年7~9月にサンプル出荷、同年10~12月に量産出荷を開始する見込み。48層のBiCS FLASHの出荷は、継続するという。

 なお、同製品は、2016年7月に竣工した新製造棟「東芝四日市工場新第2製造棟」で製造する予定だ(関連記事:東芝とWD、18年までに3D NANDに約1.4兆円投資へ)。

東芝、64層の3D NANDをサンプル出荷 「世界初」
戻  る